El término «transistor» es la contracción de la frase anglosajona «transfer resistor». en castellano sería «resistor de transferencia». Hoy día se le usa como amplificador, conmutador, rectificador y compuerta lógica.

Hoy día, existen dos categorías para este dispositivo:

  1. TBJ: Transispor bipolar de Juntura
  2. FET: Field Effect Transistor


Hay dos razones para cambiar de la física en el vacío a la físca del del estado sólido:



Las desventajas del estado sólido.



La siguiente información se provee como un conjunto pequeño de datos acerca de la invensión y evolución del transistor. A este respecto, el lector debe considerar que la historia no es simple sino mas bien, se trata de una sucesión de eventos, muchos de ellos entrelazados y que forman una trama muy compleja.

"El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925​ una patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que estaba destinado a remplazar al triodo con un dispositivo de estado sólido. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 1926​ y 1928.​ Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo..." [1]​

A Lilienfeld se le debe la invención del condensador electrolítico.

En 1947, los físicos estadounidenses William Shockley, Walter Houser Brattain y John Bardeen fracasaron en sus intentos de construir un transistor de efecto de campo, pero cuando analizaban las fallas que su diseño presentaba, descubrieron el «transistor de contacto de punto» (o «point-contact transistor» por sus siglas en Inglés) en 1947.[2]



Imagen tomada de [3]



El primer transistore de unión bipolar fue inventado por William Shockley de Bell Labs, quien solicitó la patente (2,569,347) el 26 de junio de 1948. El 12 de abril de 1950, los químicos de Bell Labs Gordon Teal y Morgan Sparks habían producido con éxito una amplificación de señal en un transistor de unión bipolar con la configuración NPN. Para ese entonces se trataba de semiconductores de germanio. Bell Labs anunció el descubrimiento de este nuevo transistor "sandwich" en un comunicado de prensa el 4 de julio de 1951 [4].
Imagen tomada de [5]


La primera descripción de este transistor fue realizada por Julius Edgar Lilienfeld [1]​. No obstante no pudo construir un dispositivo funcional. Para 1951 William Shockey ya había teorizado sobre este dispositivo y solicitó la primera patente para un transistor de efecto de campo, describiendo la estructura de mimso pero no presentó un disposiivo funcional que apoyara la soicitud. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, ​cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952 [1].

El transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) fue inventado por Mohamed Atalla y Dawon Kahng en 1959. Con su alta escalabilidad, y un consumo de energía mucho menor y una densidad más alta que los transistores de unión bipolar, el MOSFET hizo posible construir circuitos integrados de alta densidad, permitiendo la integración de más de 10,000 transistores en un CI único [4].
Figura tomada de [4]


FET es la contraccion de la frase anglosajona «Field Effect Transistor». Este dispositivo fue el invento desarrollado por John Bardeen y Walter Brattain, miembros de un equipo liderado por William Shockey.

Hoy día hay una gran cantidad de variantes del FET, algunos sustituyen a otros heredando el nombre, no obstante que hay diferencias sustanciales entre ellos. Algunas variantes sonn:



MOSFET es la contraccipon de la frase anglosajona «Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor» y que en castellano sería « transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor».

La estructura de este transistor consiste de tres capas de material semiconductor. Las capas «n» son de silicio dopado de manera que sobran electrones en las útlimas órbitas de los átomos del cristal. La capa «p» es de silicio dopado de manera que faltan electrones en las útlimas órbitas de los átomos del cristal esta capa es my delgada.

Contactos de alumnio tocan las capas de cristales «n» y «p».

El contacto metálio de la compuerta (aluminio) está separado por una capa de óxido de silicio (aislante) del cuerpto del transistor.
Representación del MOSFET [5].


Una representación en 3D es como sigue:

Representación del MOSFET [6].

El diagrama eléctrio del dispostivo es:




Formación de iones positivos en el subetrato: La región blanca indica que los electrones fueron repelidos debido a la compuerta negativa. Así que el transistor no conduce corrient entre fuente y drenaje [6].
Figura tomada de [6].
Formacion de iones negativos en el subetrato. La región verde indica que hay electrones atraídos por la compuerta positiva. Entonces se ha formado un canal de conducción entre fuente y drenaje [6].
Figura tomada de [6].




[1] Colaboradores de Wikipedia. Transistor [en línea]. Wikipedia, La enciclopedia libre, 2019 [fecha de consulta: 1 de agosto del 2019]. Disponible en https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Transistor&oldid=117885442.

[2] Colaboradores de Wikipedia. JFET [en línea]. Wikipedia, La enciclopedia libre, 2019 [fecha de consulta: 4 de agosto del 2019]. Disponible en https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=JFET&oldid=115754787.

[3] Wikipedia contributors, "Point-contact transistor," Wikipedia, The Free Encyclopedia, https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Point-contact_transistor&oldid=903136595 (accessed August 4, 2019).

[4] Wikipedia contributors, "Transistor," Wikipedia, The Free Encyclopedia, https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Transistor&oldid=908869278 (accessed August 4, 2019).

[5] Colaboradores de Wikipedia. Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor [en línea]. Wikipedia, La enciclopedia libre, 2019 [fecha de consulta: 4 de agosto del 2019]. Disponible en https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Transistor_de_efecto_de_campo_metal-%C3%B3xido-semiconductor&oldid=117885469.

[6] Colaboradores de Wikipedia. Transistor de unión bipolar [en línea]. Wikipedia, La enciclopedia libre, 2019 [fecha de consulta: 4 de agosto del 2019]. Disponible en https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar&oldid=115608159.